英特尔晶圆代工（Intel Foundry）宣布，在先进半导体制造领域取得了一个关键的里程碑，已在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。目前英特尔正在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
去年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，可以更好地了解High-NA EUV设备的使用，获得宝贵的经验。High-NA EUV光刻机将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。
英特尔院士兼英特尔晶圆代工逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监Mark Phillips表示，随着High-NA EUV的加入，英特尔将拥有业界最全面的光刻工具箱，使其能够推动Intel 18A以外的未来制程工艺进入本十年（2021年至2030年）的后半段。
新工具能够通过改变将打印图像投射到硅晶圆上的光学设计，显著提高下一代处理器的分辨率和功能缩放。当与英特尔晶圆代工的其他工艺技术功相结合时，High-NA EUV有望打印现有EUV工具1.7倍一维密度的功能。这意味着在二维特征缩放上，可实现1.9倍的密度提升。
High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔打算在Intel 14A工艺引入，最快会在2026年到来。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。