上个月，英特尔在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的半导体技术研发基地完成了业界首台High-NA EUV光刻机的组装工作。随后，他们开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
据报道，ASML每年生产的High-NA EUV光刻机大约在5到6台之间。今年生产的这些设备将全部运往美国的芯片制造商，其中大部分将交付给英特尔。这得益于英特尔在新设备出现时选择了抢先下单。明年，三星和SK海力士也将获得High-NA EUV光刻机，预计在下半年到货。
High-NA EUV光刻机是一种极紫外光大批量生产系统，具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的能力。它提供了0.55数值孔径，比之前的EUV系统精度更高，可以实现更高分辨率的图案化，从而制造出更小的晶体管特征。据报道，一台High-NA EUV光刻机的价格大约为3.8亿美元，是EUV的两倍多，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。
去年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。这项技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔计划在Intel 14A工艺中引入，最快可能在2026年实现。
