三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料:可降低层高和延迟

科技 2024-07-04 08:48 阅读:5

7月3日消息,据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。

面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减,还能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。三星的这一决策,预示着NAND材料供应链即将迎来深刻的变革与重塑。

值得注意的是,钼材料的引入并非易事,它要求生产设备能够耐高温处理,将固态钼原材料加热至600℃以转化为气态,这与六氟化钨(WF6)的处理方式截然不同。

为此,三星已积极行动,从Lam Research公司引入了首批5台Mo沉积机,并规划在未来一年内再增购20台,以加速其钼基NAND的生产布局。

供应链方面,三星正与多家领先供应商紧密合作,包括Entegris和Air Liquide,以确保稳定的钼源供应。同时,Merck等公司也积极响应,向三星提供了钼材料的样品,展示了行业对新技术路径的广泛支持与期待。

此外,SK海力士、美光和铠侠等业界巨头也纷纷跟进,探索在NAND生产中采用钼材料的可行性,共同推动半导体材料的革新进程。

然而,钼材料的采用也伴随着成本的提升,其市场价格相较于六氟化钨高出近十倍。尽管如此,鉴于其在提升性能方面的显著优势,以及未来在DRAM和逻辑芯片领域的潜在应用前景,钼材料正成为众多企业竞相追逐的新宠。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力,而含钼材料的市场则将迅速崛起。