三星3nm工艺初期良率提升3倍,竞争力逐渐增强

科技 2024-03-22 16:15 阅读:10

近日,消息源@Tech_Reve透露,三星3nm工艺初期良率从10-20%提升至30%以上,这一进展让人振奋。然而,与采用FinFET技术的台积电相比,三星的良率仍有待提高。

消息源指出,三星正寄望于第二代3nm技术,该技术的性能、功耗和面积(PPA)指标相当于台积电的N3P工艺。据知情人士透露,三星的第二代3nm工艺相较于4nm FinFET技术,能效和逻辑面积提高了20-30%。

此前,三星曾宣布计划在今年下半年量产第二代3nm工艺。三星电子DS部门下属Foundry业务部负责人崔时荣表示,三星的第二代3nm和首代2nm是两个不同的工艺。而日本AI企业Preferred Networks也已下单三星的首个2nm AI芯片订单,显示出三星在技术领域的竞争力逐渐增强。