近几十年来，随着大数据、传感器、云应用等新兴技术的快速发展，数据流量呈现出指数级增长的态势。传统电子设备的发展即将到达极限，摩尔定律推动着电子器件的体积缩小、性能增加，但数据流量的激增给电子器件带来了诸多挑战。
为了解决这一问题，香港科技大学的研究团队设计出了一种名为横向纵横比捕获（LART）的方法，能够在硅衬底上横向选择性地生长III-V族材料。通过这一技术，研究人员成功制造了III-V分布式反馈激光器，实现了III-V族激光器与硅波导之间的高效耦合。
这种特殊的III-V族绝缘层结构为激光器提供了良好的光学约束，使其具有低激光阈值、稳定单模激光、较高的边模抑制比和自发辐射系数。这一重要突破将推动集成硅基光电子学领域的发展。
虽然该技术有望在传感和激光雷达、生物医学、人工智能等领域获得应用，但仍需克服一些科学挑战。未来，该团队将进一步增强III-V族激光器的能力，以更好地应用于现实生活。
香港科技大学团队的研究成果为硅光子集成电路领域带来了重要突破，为解决硅基光子半导体性能限制提供了新的思路和方法。