英特尔最近举办了一场代工业务网络研讨会，展望未来的技术发展路线图。根据制程工艺路线图，英特尔的目标是在 18A 节点重新成为一流代工厂，并在 14A 节点确立领先地位。
在功耗方面，英特尔目前的 Intel 7 节点已经落后于竞争对手。但是，他们计划在近期的 Intel 3 节点与行业领先企业（台积电）相当，同时在未来的 18A 节点实现略好于竞争对手的水平，并在 14A 节点确认优势。
而在密度方面，英特尔的 Intel 7 节点存在明显劣势，但他们希望通过 Intel 3 节点缩小差距，并在 18A 节点追上竞争者，而在 14A 节点上可获得较小的密度优势。
此外，英特尔还计划逐步降低晶圆成本，从 Intel 3 到 14A 的演进过程中实现较低的晶圆成本。
未来数年，英特尔将扩展制程目标市场，到 14A 节点时将可对外代工移动端产品。同时，他们也将弥补在传统 IDM 模式下对外部 EDA 支持的不足，提升设计便捷度到业界平均水平。
此外，英特尔还将进一步扩大在 2.5D / 3D 等先进封装技术上的优势，作为面向 AI 时代的系统代工厂，英特尔表示将通过多个层面的创新让摩尔定律继续前进。
在互连方面，英特尔将发力硅光子学，并丰富在 PCIe、SerDes 领域的技术储备。他们目前已经可以通过浸没式液冷冷却 1000W TDP 的芯片，目标是到 2030 年实现对 2000W 芯片的冷却。
在先进内存方面，英特尔目前可以通过 EMIB 连接 8 个 HBM 堆栈，未来将提升至 12 个堆栈乃至更多，同时也在探索更新的内存解决方案。
对于 Foveros 3D Direct 高级封装，英特尔的目标是在 2027 年左右实现 4 微米的连接间隙。
英特尔还给出了更详细的玻璃基板应用时间，这项技术有望于 2027 年展开。英特尔展望未来代工业务，将在技术发展路线图上不断前行，努力成为一流代工厂。