在当前AI算力追求高性能动态存储的背景下，HBM技术成为了较佳方案。随着数据量的不断增加和AI芯片的快速发展，传统的GDDR显存技术已经无法满足需求，制造商纷纷将目光转向HBM技术。HBM的快速增长主要受到AI芯片的推动，导致主流厂商之间的竞争日益白热化。SK海力士、三星电子、美光科技等巨头纷纷推出HBM3E产品，竞争激烈。
HBM技术的制造复杂度大幅提升，不同产业链环节均有参与机会。AI芯片制造步骤相对于传统计算芯片更加复杂，制造过程涉及到IDM、晶圆厂和封装厂等不同环节。各个环节都有自己的特殊要求和工艺流程，其中GPU、HBM是Chiplet中的主要有源器件，而Interposer、RDL等无源器件则由不同厂商制造。
HBM堆叠技术对前后道设备要求大幅提升，键合方式路径变化成为市场关注焦点。HBM堆叠环节涉及到凸块制造、表面布线、TSV、键合、解键合等多个工艺步骤，需要前道工具的参与。随着堆叠结构的增多，对设备的要求也在不断提升，特别是在键合方式上，TCB压合和MR方案仍然是主流，但未来可能会出现混合键合的趋势。
HBM技术的快速增长为AI产业链带来了新的发展机遇，但也伴随着一定的风险。随着AI芯片主流路径的变化和需求的不确定性，DRAM和HBM技术的发展也可能会受到影响。中金建议产业链各环节要密切关注市场动态，灵活调整策略，抓住机遇，应对挑战。