三星的第九代V-NAND闪存产品正式启动量产，这一产品拥有比上一代更高的位密度，通过通道孔蚀刻技术提高了生产效率。新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性，同时消除了虚通道孔，减少了存储单元的平面面积。
除了位密度的提升，第九代V-NAND还配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。同时，基于三星在低功耗设计方面的进步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。
三星已经开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，并计划在今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。据韩媒Hankyung报道，第九代V-NAND的堆叠层数达到了290层，而TechInsights表示，三星的第十代V-NAND有望达到430层，进一步提升堆叠方面的优势。
三星的这一举措将进一步巩固其在高性能固态硬盘市场的地位，为用户带来更快速、更可靠的存储体验。随着技术的不断进步，相信三星未来在闪存领域的发展将更加令人期待！
