AI浪潮推动DRAM内存和NAND闪存市场涨价
5月7日消息,TrendForce集邦咨询发布最新研报指出,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场产生了显著影响,促使该机构调高本季度两类存储产品的合约价涨幅。最新预估显示,20...
5月7日消息,TrendForce集邦咨询发布最新研报指出,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场产生了显著影响,促使该机构调高本季度两类存储产品的合约价涨幅。最新预估显示,20...
随着科技的不断进步,3DNAND的堆叠层数越来越多,这也促使厂家们不断探索新的生产技术以提高效率。SK海力士目前正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,这一设备可以在-70℃的低温下...
三星的第九代V-NAND闪存产品正式启动量产,这一产品拥有比上一代更高的位密度,通过通道孔蚀刻技术提高了生产效率。新技术特性的应用提高了产品的质量和可靠性,同时消除了虚通道孔,减少...
铠侠的目标是在2030~2031年推出1000层的3DNAND闪存,这将是一项重大突破。宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上宣布了这一计划,让人们对铠侠的未来充满期...
据TrendForce集邦咨询预估,二季度NAND闪存合约价将继续上涨13~18%,这个消息可不是闪存企业的好消息。除了铠侠-西部数据外,其他上游闪存企业仍然坚持低投产策略,这导致...