三星电子最快本月晚些时候量产第 9 代 V-NAND 闪存
哇!听说了吗?最新消息称,三星电子将在本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产!这可是个大新闻啊!据说,这次的闪存堆叠层数将达到惊人的290层,真是让人瞠目结舌。去...
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铠侠的目标是在2030~2031年推出1000层的3DNAND闪存,这将是一项重大突破。宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上宣布了这一计划,让人们对铠侠的未来充满期...