铠侠的目标是在2030~2031年推出1000层的3D NAND闪存，这将是一项重大突破。宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上宣布了这一计划，让人们对铠侠的未来充满期待。
铠侠与西部数据合作开发NAND闪存技术，他们目前最先进的产品是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这款闪存可以实现3200MT/s的I/O速率，性能非常出色。
虽然三星也提出了类似的目标，但铠侠在提升堆叠层数方面采取了一些独特的技术路线。他们在BICS8中使用了双堆栈工艺，分开实现两个NAND堆栈的垂直通道蚀刻，这虽然增加了一些麻烦，但整体上降低了难度。
除了在NAND闪存领域取得突破外，铠侠还在积极培育存储级内存（SCM）等新型存储产品业务。宫岛英史表示，在AI热潮下，DRAM和NAND之间的性能差距正在拉大，而SCM可以填补这一空白，这是一个非常有前景的领域。
铠侠于4月1日将存储器技术研究实验室重组为先进技术研究实验室，他们的SCM研究将集中在MRAM、FeRAM、ReRAM等新型内存上，有望在2~3年内实现量产。铠侠在SCM领域的努力和创新将为未来的存储技术发展带来新的可能性。