5月7日消息，TrendForce集邦咨询发布最新研报指出，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场产生了显著影响，促使该机构调高本季度两类存储产品的合约价涨幅。最新预估显示，2024年二季度DRAM内存合约价上涨幅度从原先的3~8%上调至13~18%；而NAND闪存方面，原本预计上涨13~18%，现在预计为15~20%，仅eMMC/UFS的涨幅相对较低，为10%。
TrendForce表示，他们最初预计经过连续两三个季度的涨价后，DRAM内存和NAND闪存的需求方对大幅涨价并不太愿意接受。然而，到了四月下旬，存储业者在台湾地区地震后完成了首轮合约价议价，涨幅超出预期。除了买方希望支撑手中库存价格外，更大的影响是AI热潮对存储业供需双方心态的转变。
在DRAM市场方面，存储原厂担心HBM内存产能的增加将进一步挤压传统内存的供应。据报道，美光表示HBM3E内存的晶圆消耗量是传统DDR5内存的3倍；研报指出，到2024年底，三星电子1αnm制程的整体DRAM产能约六成将被HBM3e内存占用。需求方在评估后开始考虑在二季度提前备货DRAM内存，以应对三季度开始HBM内存产量增加带来的供应紧张局势。
而在NAND闪存产品方面，节能成为AI推理服务器的首要考虑因素，北美云服务提供商扩大了对QLC企业级固态硬盘的采用。随着闪存产品库存加速下降，一些供应商开始出现谨慎销售的心态。
然而，研报也提到，受限于消费级产品需求复苏情况尚不明朗，存储原厂对非HBM内存产能的资本支出仍然相对保守，特别是仍处于损益平衡点的DRAM闪存。
