近年来，人工智能、高性能计算和PC的快速发展，推动了高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。在这一背景下，各大厂商纷纷加大了对HBM产品的投入。尽管三星作为全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却一直落后于竞争对手SK海力士。为了赶超竞争对手，三星最近加大了对HBM产品的投入，并组建了专门负责HBM4项目的团队。
据报道，三星另外组建了团队专门负责HBM4项目，从3月起将以往的HBM4工作组转变为常设的办公室。同时，现阶段HBM3E的开发和量产工作则由原来的DRAM设计团队负责。三星选择采用“双规制”策略，加快HBM产品的开发进度，以便赶超竞争对手，抢占高附加值DRAM市场。
负责HBM4开发的新团队由三星DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon负责，并直接向三星存储芯片业务总裁Lee Jung-base汇报工作。为了加强新建开发团队的实力，内部还通过调整主要人员等手段进行了优化。上个月，三星发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。
据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不同的服务应用进行优化，计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片来应对。为了解决功耗墙的问题，首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始，随后是第二个创新，从当前2.5D HBM逐步发展到3D HBM，最后预计会出现第三次创新，比如HBM-PIM，也就是具备计算功能的内存半导体技术。
此外，有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜组装技术和混合键合技术。三星正致力于加大对HBM产品的研发投入，力争在未来的市场竞争中取得领先地位。