据韩媒报道，SK 海力士在最近的记者招待会上宣布，他们将加速HBM4内存的量产进程，计划在2025年下半年推出首批产品。这些产品将采用12层DRAM堆叠技术，为AI处理器提供更高内存带宽的支持。此举显示了对高性能内存的强烈需求，以满足不断增长的AI领域的需求。
此外，SK 海力士还与台积电达成了HBM基础裸片合作备忘录，预计未来产品可能采用7nm工艺。而在新一代HBM4内存中，预计将采用1cnm制程的DRAM内存芯片。目前，基于MR-MUF键合技术的12层堆叠HBM3E内存即将进入量产阶段，而未来的16层堆叠产品也将采用MR-RUF技术。
SK 海力士的加速量产进程将为AI领域带来更多高性能内存选择，助力行业发展。2025年下半年，首批HBM4产品的推出将成为市场上备受期待的重要事件。