三星明年量产430层闪存!但有人瞄准了1000+层 4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS... 闪存阵列海力士cmos三星电子 科技2024-04-16 06:52